インテグラシリーズの設計ノウハウを集大成し、音質志向を徹底して追及したプリメインアンプ。

パワーアンプ部には、オンキョー独自のスーパーカレントアンプ構成を採用しています。
このアンプでは、出力段の前段で電圧-電流変換を行うBi-MOSドライブ方式を採用し、カレントドライブアンプでは電流-電流増幅することで安定かつリニアな増幅を実現しています。
カレントドライブアンプは、従来の出力段のようにトランジスタの電圧→電流変換特性に左右されず、前ステージから送られた電流に比例して出力電流をスピーカーに供給する電流アンプ構成となっており、直線性に優れ、温度による変動もありません。
また、前段に採用されたBi-MOSドライブ方式は、MOS FETとバイポーラトランジスタの2つの素子を用いた回路で、小電流領域ではMOS FETが緩やかな立ち上がりカーブの特性を示し、大電流領域ではバイポーラ??トランジスタの伸びやかで直線的な特性が支配的になります。これにより、クロスオーバー領域において極めて直線に近い特性が得られ、大振幅領域でも伸びのあるリニアリティ特性を実現しています。
さらに、このパワーアンプ部は＋側/－側完全対称の全段プッシュプル仕様となっており、初段の差動増幅段、プリドライバー、Bi-MOSドライブ段に続く最終段のカレントドライブアンプ段は3パラレル構成となっています。

左右独立のツインモノラル構成を採用しており、小信号ブロックを中央部に置き、大電流を扱うパワー部/電源部を左右に配置しています。
これにより大電流からの電磁波による相互干渉を抑えると共に、信号伝送距離の短縮化を図っています。

電源部には、周囲に放射される磁気リーケージ??フラックスを従来のトランスに比較して約30分の1に低減したLASERトランスを左右それぞれに1個、合計2個搭載しています。
また、電源トランスの2次側巻線を、パワーアンプ用、EQアンプ用、プロテクター回路用に独立させ、さらにマイコン用にサブ??トランスを搭載することで、各ステージ間の干渉を排除しています。

シャーシ構造を3BOX構造とし、大電流を扱う電源部とパワー部を左右に収め、中央部のBOXに微小信号を扱う入力部イコライザーアンプ、プリアンプを収め、相互干渉を排除しています。
また、ボトムシャーシもこれに合わせて3分割しており、シャーシ電流による干渉を抑えています。

信号伝送距離の短縮化とシンプルな伝送を図るため、モータードライブのセレクタースイッチを入力ピンジャックの近くに配置しており、ボリュームもシャフトドライブの独立4連タイプをセレクター近くに配置して信号伝送距離を最短で結んでいます。

ハイクオリティ??低インピーダンスのツインロールケミコンや、高速ダイオード、70μm銅箔プリント基板の採用で回路のローインピーダンス化を実現しています。

デルタターボ電源やプリ/パワー部独立スーパーサーボアンプなどのオンキョーの独自技術を採用しています。

ソースダイレクトスイッチやダイレクトトーン回路、テープモニター機能、MC2ポジションカートリッジセレクター、チャージ??ノイズフィルターなどの機能を搭載しています。

電源、ボリューム、インプットセレクター、ミューティングを手元で操作できるリモコンが付属しています。
ボリュームとインプットセレクターはモータードライブ方式を採用し、半導体スイッチなどで発生する非直線歪を防いでいます。